器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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BSC035N04LS-G | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | 下载 |
BSC035N04LS G | Infineon(英飞凌) | 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 栅源极阈值电压:2V @ 36uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69W(Tc) 类型:N沟道 | 下载 |
BSC035N04LSG | Infineon(英飞凌) | 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 栅源极阈值电压:2V @ 36uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 | 下载 |
BSC035N04LSGATMA1 | Infineon(英飞凌) | 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 栅源极阈值电压:2V @ 36uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 MOSFETN-CH40V100ATDSON-8 | 下载 |
BSC035N04LSGXT | Infineon(英飞凌) | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 40V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8 | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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BSC035N04LS G 、 BSC035N04LSG 、 BSC035N04LSGATMA1 | 下载文档 |
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型号 | BSC035N04LS G | BSC035N04LSG | BSC035N04LSGATMA1 |
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描述 | 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 栅源极阈值电压:2V @ 36uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69W(Tc) 类型:N沟道 | 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 栅源极阈值电压:2V @ 36uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 | 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 栅源极阈值电压:2V @ 36uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 MOSFETN-CH40V100ATDSON-8 |
是否无铅 | - | 不含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | - | 符合 | 符合 |
包装说明 | - | GREEN, PLASTIC, TDSON-8 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
针数 | - | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | - | compliant | not_compliant |
ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | - | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
雪崩能效等级(Eas) | - | 65 mJ | 65 mJ |
外壳连接 | - | DRAIN | DRAIN |
配置 | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | - | 40 V | 40 V |
最大漏极电流 (ID) | - | 21 A | 21 A |
最大漏源导通电阻 | - | 0.0053 Ω | 0.0053 Ω |
FET 技术 | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | - | R-PDSO-F5 | R-PDSO-F5 |
JESD-609代码 | - | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | - | 1 | 1 |
元件数量 | - | 1 | 1 |
端子数量 | - | 5 | 5 |
工作模式 | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | - | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | - | 260 | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | - | 400 A | 400 A |
认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | - | YES | YES |
端子面层 | - | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) |
端子形式 | - | FLAT | FLAT |
端子位置 | - | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | - | 40 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | - | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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