电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

bsc035n04

eeworld网站中关于bsc035n04有5个元器件。有BSC035N04LS-G、BSC035N04LS G等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
BSC035N04LS-G Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 下载
BSC035N04LS G Infineon(英飞凌) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 栅源极阈值电压:2V @ 36uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69W(Tc) 类型:N沟道 下载
BSC035N04LSG Infineon(英飞凌) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 栅源极阈值电压:2V @ 36uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 下载
BSC035N04LSGATMA1 Infineon(英飞凌) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 栅源极阈值电压:2V @ 36uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 MOSFETN-CH40V100ATDSON-8 下载
BSC035N04LSGXT Infineon(英飞凌) Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 40V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8 下载
关于bsc035n04相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
BSC035N04LS G 、 BSC035N04LSG 、 BSC035N04LSGATMA1 下载文档
BSC035N04LSGXT 下载文档
BSC035N04LS-G 下载文档
bsc035n04资料比对:
型号 BSC035N04LS G BSC035N04LSG BSC035N04LSGATMA1
描述 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 栅源极阈值电压:2V @ 36uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69W(Tc) 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 栅源极阈值电压:2V @ 36uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 栅源极阈值电压:2V @ 36uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 MOSFETN-CH40V100ATDSON-8
是否无铅 - 不含铅 含铅
是否Rohs认证 - 符合 符合
包装说明 - GREEN, PLASTIC, TDSON-8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数 - 8 8
Reach Compliance Code - compliant not_compliant
ECCN代码 - EAR99 EAR99
其他特性 - LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas) - 65 mJ 65 mJ
外壳连接 - DRAIN DRAIN
配置 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 - 40 V 40 V
最大漏极电流 (ID) - 21 A 21 A
最大漏源导通电阻 - 0.0053 Ω 0.0053 Ω
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 - R-PDSO-F5 R-PDSO-F5
JESD-609代码 - e3 e3
湿度敏感等级 - 1 1
元件数量 - 1 1
端子数量 - 5 5
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - 260 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) - 400 A 400 A
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - YES YES
端子面层 - Matte Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 - FLAT FLAT
端子位置 - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - 40 NOT SPECIFIED
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
Base Number Matches - 1 1
小广播

技术资料推荐更多

论坛推荐更多

技术视频推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   4P 67 6S 72 AY EU JN JR KG R4 R7 RN RW T0 U1

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved