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ZXMN3F30TH

在6个相关元器件中,ZXMN3F30TH有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
ZXMN3F30FH Zetex Semiconductors 3800 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
ZXMN3F30FH Diodes 3800 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
ZXMN3F30FHTA Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET 下载
ZXMN3F30FHTA Diodes 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.6A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:47mΩ @ 4.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):950mW 类型:N沟道 N沟道,30V,4.6A,47mΩ@10V 下载
ZXMN3F30FHTA Zetex Semiconductors Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 3 PIN 下载
ZXMN3F30FHTA 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 下载
ZXMN3F30TH的相关参数为:

器件描述

3800 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

参数
参数名称属性值
端子数量3
最小击穿电压30 V
加工封装描述SOT-23, 3 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层MATTE TIN
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元件数量1
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
场效应晶体管技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
最大漏电流3.8 A
最大漏极导通电阻0.0470 ohm
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