器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
ZXMN3F30FH | Zetex Semiconductors | 3800 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 下载 |
ZXMN3F30FH | Diodes | 3800 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 下载 |
ZXMN3F30FHTA | Diodes Incorporated | MOSFET 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET | 下载 |
ZXMN3F30FHTA | Diodes | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.6A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:47mΩ @ 4.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):950mW 类型:N沟道 N沟道,30V,4.6A,47mΩ@10V | 下载 |
ZXMN3F30FHTA | Zetex Semiconductors | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 3 PIN | 下载 |
ZXMN3F30FHTA | 台湾微碧(VBsemi) | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | 下载 |
3800 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 3 |
最小击穿电压 | 30 V |
加工封装描述 | SOT-23, 3 PIN |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
中国RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | GULL WING |
端子涂层 | MATTE TIN |
端子位置 | DUAL |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
结构 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
通道类型 | N-CHANNEL |
场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL |
最大漏电流 | 3.8 A |
最大漏极导通电阻 | 0.0470 ohm |
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