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VNS3NV04PTR-E

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器件名 厂商 描 述 功能
VNS3NV04PTR-E ST(意法半导体) Gate Drivers OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V 下载
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器件描述

Gate Drivers OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V

参数
参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP,
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time18 weeks
内置保护TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
接口集成电路类型BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度4.9 mm
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量8
输出电流流向SINK
标称输出峰值电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)245
座面最大高度1.75 mm
标称供电电压5 V
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
断开时间10 µs
接通时间1.35 µs
宽度3.9 mm
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