器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
VNS3NV04PTR-E | ST(意法半导体) | Gate Drivers OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V | 下载 |
Gate Drivers OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | STMicroelectronics |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP, |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 18 weeks |
内置保护 | TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL |
接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 4.9 mm |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
输出电流流向 | SINK |
标称输出峰值电流 | 5 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 245 |
座面最大高度 | 1.75 mm |
标称供电电压 | 5 V |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
断开时间 | 10 µs |
接通时间 | 1.35 µs |
宽度 | 3.9 mm |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved