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V20200C-E3

在4个相关元器件中,V20200C-E3有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
V20200C-E3 Vishay(威世) Trench MOS Schottky technology 下载
V20200C-E3-4W Vishay(威世) Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 下载
V20200C-E3/4W Vishay(威世) 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):10A 正向压降(Vf):1.6V @ 10A 下载
V20200C-E3_V01 Vishay(威世) Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 下载
V20200C-E3的相关参数为:

器件描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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