器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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UT3404G-AE3-R | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 下载 |
UT3404G-AE3-R | 友顺(UTC) | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 N沟 30V 5.8A | 下载 |
UT3404G-S08-R | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | Power Field-Effect Transistor | 下载 |
型号 | UT3404G-S08-R | UT3404G-AE3-R |
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描述 | Power Field-Effect Transistor | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 N沟 30V 5.8A |
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