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UMG5

eeworld网站中关于UMG5有5个元器件。有UMG5、UMG5N等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
UMG5 ROHM(罗姆半导体) Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon 下载
UMG5N ROHM(罗姆半导体) Emitter common (dual digital transistors) 下载
UMG5N HTSEMI( Jin Yu Semiconductor ) dual digital transistors (PNP PNP) 下载
UMG5NTR ROHM(罗姆半导体) Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 100MA 下载
UMG5TL ROHM(罗姆半导体) Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon 下载
关于UMG5相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
UMG5TL 、 UMG5TR 下载文档
UMG5NTR 下载文档
UMG5N 下载文档
UMG5N 下载文档
UMG5 下载文档
UMG5资料比对:
型号 UMG5TL UMG5TR
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Reach Compliance Code compli compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC) 0.07 A 0.07 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 68 68
JESD-30 代码 R-PDSO-G5 R-PDSO-G5
JESD-609代码 e3/e2 e2
元件数量 2 2
端子数量 5 5
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN/TIN COPPER Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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