器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
UDZVTE-1710B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):9.77V(Min)~10.21V(Max) 反向漏电流:100nA @ 7V 最大功率:200mW 10V 200mW | 下载 |
UDZVTE-1711B | ROHM(罗姆半导体) | Zener Diode, 11V V(Z), 0.2W, | 下载 |
UDZVTE-1712B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):12V 反向漏电流:100nA @ 9V 最大功率:200mW 12V 0.2W | 下载 |
UDZVTE-1713B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):12.91V(Min) ~ 13.49V(Max) 反向漏电流:0.1uA @ 10V 最大功率:200mW 13V 200mW | 下载 |
UDZVTE-1715B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):15V 反向漏电流:100nA @ 11V 最大功率:200mW 15V 200mW | 下载 |
UDZVTE-1716B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):16V 反向漏电流:100nA @ 12V 最大功率:200mW 16V 200mW | 下载 |
UDZVTE-1718B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):17.56V(Min)~18.35V(Max) 反向漏电流:100nA @ 13V 最大功率:200mW | 下载 |
UDZVTE-172.0B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):2V 反向漏电流:120uA @ 500mV 最大功率:200mW 2V 200mW | 下载 |
UDZVTE-1720B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):20V 反向漏电流:100nA @ 15V 最大功率:200mW 20V 200mW | 下载 |
UDZVTE-172.2B | ROHM(罗姆半导体) | Zener Diodes Diode Zener Sgl 2.2V 200mW | 下载 |
UDZVTE-1722B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):22V 反向漏电流:100nA @ 17V 最大功率:200mW 22V 200mW | 下载 |
UDZVTE-172.4B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):2.4V 反向漏电流:- 最大功率:200mW 2.4V 200mW | 下载 |
UDZVTE-1724B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):24V 反向漏电流:100nA @ 19V 最大功率:200mW 24V 200mW | 下载 |
UDZVTE-172.7B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):2.7V 反向漏电流:100uA @ 1V 最大功率:200mW 2.7V 200mW | 下载 |
UDZVTE-1727B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):27V 反向漏电流:100nA @ 21V 最大功率:200mW 27V 200mW | 下载 |
UDZVTE-1730B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):30V 反向漏电流:100nA @ 23V 最大功率:200mW 30V 200mW | 下载 |
UDZVTE-173.0B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):3V 反向漏电流:- 最大功率:200mW 3V 200mW | 下载 |
UDZVTE-1733B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):33V 反向漏电流:100nA @ 25V 最大功率:200mW 33V 200mW | 下载 |
UDZVTE-173.3B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):3.3V 反向漏电流:- 最大功率:200mW 3.3V 200mW | 下载 |
UDZVTE-1736B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):36V 反向漏电流:100nA @ 27V 最大功率:200mW 36V 200mW | 下载 |
UDZVTE-173.6B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):3.6V 反向漏电流:10uA @ 1V 最大功率:200mW 3.6V 200mW | 下载 |
UDZVTE-1739B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):39V 反向漏电流:- 最大功率:200mW 39V 200mW | 下载 |
UDZVTE-173.9B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):3.9V 反向漏电流:5uA @ 1V 最大功率:200mW | 下载 |
UDZVTE-1743 | ROHM(罗姆半导体) | Zener Diode, 43V V(Z), 5.88%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SC-90A, 2 PIN | 下载 |
UDZVTE-174.3B | ROHM(罗姆半导体) | Zener Diode, 4.3V V(Z), 0.2W, | 下载 |
UDZVTE-1747B | ROHM(罗姆半导体) | 最大功率:200mW 精度:- 反向漏电流:0.1uA @ 36V 稳压值(典型值):44V(Min)~49V(Max) | 下载 |
UDZVTE-174.7B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):4.7V 反向漏电流:2uA @ 1V 最大功率:200mW 4.7V 200mW | 下载 |
UDZVTE-1751B | ROHM(罗姆半导体) | —— | 下载 |
UDZVTE-175.1B | ROHM(罗姆半导体) | 精度:- 稳压值(典型值):5.1V 反向漏电流:2uA @ 1.5V 最大功率:200mW 5.1V 200mW | 下载 |
UDZVTE-175.6B | ROHM(罗姆半导体) | Zener Diode, 5.6V V(Z), 2.14%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SC-90A, 2 PIN | 下载 |
Array/Network Resistor, Isolated, Thin Film, 0.1W, 264ohm, 50V, 0.1% +/-Tol, -10,10ppm/Cel, 2806,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Objectid | 982111017 |
包装说明 | SMT, 2806 |
Reach Compliance Code | compliant |
Country Of Origin | France |
ECCN代码 | EAR99 |
YTEOL | 5.4 |
构造 | Chip |
JESD-609代码 | e0 |
网络类型 | Isolated |
端子数量 | 14 |
最高工作温度 | 155 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装高度 | 0.4 mm |
封装长度 | 7 mm |
封装形式 | SMT |
封装宽度 | 1.6 mm |
包装方法 | TR |
额定功率耗散 (P) | 0.1 W |
电阻 | 264 Ω |
电阻器类型 | ARRAY/NETWORK RESISTOR |
系列 | PRA (CNW) |
尺寸代码 | 2806 |
技术 | THIN FILM |
温度系数 | 10 ppm/°C |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier |
容差 | 0.1% |
工作电压 | 50 V |
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