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UDZVTE

在38个相关元器件中,UDZVTE有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
UDZVTE-1710B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):9.77V(Min)~10.21V(Max) 反向漏电流:100nA @ 7V 最大功率:200mW 10V 200mW 下载
UDZVTE-1711B ROHM(罗姆半导体) Zener Diode, 11V V(Z), 0.2W, 下载
UDZVTE-1712B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):12V 反向漏电流:100nA @ 9V 最大功率:200mW 12V 0.2W 下载
UDZVTE-1713B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):12.91V(Min) ~ 13.49V(Max) 反向漏电流:0.1uA @ 10V 最大功率:200mW 13V 200mW 下载
UDZVTE-1715B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):15V 反向漏电流:100nA @ 11V 最大功率:200mW 15V 200mW 下载
UDZVTE-1716B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):16V 反向漏电流:100nA @ 12V 最大功率:200mW 16V 200mW 下载
UDZVTE-1718B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):17.56V(Min)~18.35V(Max) 反向漏电流:100nA @ 13V 最大功率:200mW 下载
UDZVTE-172.0B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):2V 反向漏电流:120uA @ 500mV 最大功率:200mW 2V 200mW 下载
UDZVTE-1720B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):20V 反向漏电流:100nA @ 15V 最大功率:200mW 20V 200mW 下载
UDZVTE-172.2B ROHM(罗姆半导体) Zener Diodes Diode Zener Sgl 2.2V 200mW 下载
UDZVTE-1722B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):22V 反向漏电流:100nA @ 17V 最大功率:200mW 22V 200mW 下载
UDZVTE-172.4B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):2.4V 反向漏电流:- 最大功率:200mW 2.4V 200mW 下载
UDZVTE-1724B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):24V 反向漏电流:100nA @ 19V 最大功率:200mW 24V 200mW 下载
UDZVTE-172.7B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):2.7V 反向漏电流:100uA @ 1V 最大功率:200mW 2.7V 200mW 下载
UDZVTE-1727B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):27V 反向漏电流:100nA @ 21V 最大功率:200mW 27V 200mW 下载
UDZVTE-1730B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):30V 反向漏电流:100nA @ 23V 最大功率:200mW 30V 200mW 下载
UDZVTE-173.0B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):3V 反向漏电流:- 最大功率:200mW 3V 200mW 下载
UDZVTE-1733B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):33V 反向漏电流:100nA @ 25V 最大功率:200mW 33V 200mW 下载
UDZVTE-173.3B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):3.3V 反向漏电流:- 最大功率:200mW 3.3V 200mW 下载
UDZVTE-1736B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):36V 反向漏电流:100nA @ 27V 最大功率:200mW 36V 200mW 下载
UDZVTE-173.6B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):3.6V 反向漏电流:10uA @ 1V 最大功率:200mW 3.6V 200mW 下载
UDZVTE-1739B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):39V 反向漏电流:- 最大功率:200mW 39V 200mW 下载
UDZVTE-173.9B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):3.9V 反向漏电流:5uA @ 1V 最大功率:200mW 下载
UDZVTE-1743 ROHM(罗姆半导体) Zener Diode, 43V V(Z), 5.88%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SC-90A, 2 PIN 下载
UDZVTE-174.3B ROHM(罗姆半导体) Zener Diode, 4.3V V(Z), 0.2W, 下载
UDZVTE-1747B ROHM(罗姆半导体) 最大功率:200mW 精度:- 反向漏电流:0.1uA @ 36V 稳压值(典型值):44V(Min)~49V(Max) 下载
UDZVTE-174.7B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):4.7V 反向漏电流:2uA @ 1V 最大功率:200mW 4.7V 200mW 下载
UDZVTE-1751B ROHM(罗姆半导体) —— 下载
UDZVTE-175.1B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):5.1V 反向漏电流:2uA @ 1.5V 最大功率:200mW 5.1V 200mW 下载
UDZVTE-175.6B ROHM(罗姆半导体) Zener Diode, 5.6V V(Z), 2.14%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SC-90A, 2 PIN 下载
UDZVTE的相关参数为:

器件描述

Array/Network Resistor, Isolated, Thin Film, 0.1W, 264ohm, 50V, 0.1% +/-Tol, -10,10ppm/Cel, 2806,

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid982111017
包装说明SMT, 2806
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginFrance
ECCN代码EAR99
YTEOL5.4
构造Chip
JESD-609代码e0
网络类型Isolated
端子数量14
最高工作温度155 °C
最低工作温度-55 °C
封装高度0.4 mm
封装长度7 mm
封装形式SMT
封装宽度1.6 mm
包装方法TR
额定功率耗散 (P)0.1 W
电阻264 Ω
电阻器类型ARRAY/NETWORK RESISTOR
系列PRA (CNW)
尺寸代码2806
技术THIN FILM
温度系数10 ppm/°C
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier
容差0.1%
工作电压50 V
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