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TLE2161CD

在3个相关元器件中,TLE2161CD有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
TLE2161CD Texas Instruments(德州仪器) JFET-Input High-Output-Drive Low-Power Decompensated Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 下载
TLE2161CDG4 Texas Instruments(德州仪器) JFET-Input High-Output-Drive Low-Power Decompensated Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 下载
TLE2161CDR Texas Instruments(德州仪器) OP-AMP, 3900uV OFFSET-MAX, 5.6MHz BAND WIDTH, PDSO8, SO-8 下载
TLE2161CD的相关参数为:

器件描述

JFET-Input High-Output-Drive Low-Power Decompensated Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70

参数
参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.003 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.000003 µA
最小共模抑制比65 dB
标称共模抑制比70 dB
频率补偿YES (AVCL>=5)
最大输入失调电流 (IIO)0.0008 µA
最大输入失调电压3900 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率YES
湿度敏感等级1
负供电电压上限-19 V
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
功能数量1
端子数量8
最高工作温度70 °C
最低工作温度
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源+-3.5/+-18/7/36 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最小摆率5 V/us
标称压摆率10 V/us
最大压摆率0.35 mA
供电电压上限19 V
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装YES
技术BIPOLAR
温度等级COMMERCIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽5600 kHz
最小电压增益500
宽带NO
宽度3.9 mm
Base Number Matches1
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