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STP6N80K5

在2个相关元器件中,STP6N80K5有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
STP6N80K5 ST(意法半导体) MOSFET POWER MOSFET 下载
STP6N80K5 ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
STP6N80K5的相关参数为:

器件描述

MOSFET POWER MOSFET

参数
参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time17 weeks
雪崩能效等级(Eas)85 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压800 V
最大漏极电流 (ID)4.5 A
最大漏源导通电阻1.6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)18 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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