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STF24NM65N

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器件名 厂商 描 述 功能
STF24NM65N ST(意法半导体) MOSFET N-Channel 650V 0.16 Ohms 19A 下载
STF24NM65N ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
STF24NM65N的相关参数为:

器件描述

MOSFET N-Channel 650V 0.16 Ohms 19A

参数
参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
零件包装代码TO-220AB
包装说明ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)500 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)19 A
最大漏极电流 (ID)19 A
最大漏源导通电阻0.19 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)76 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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