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STD60NF06

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器件名 厂商 描 述 功能
STD60NF06 ST(意法半导体) N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET 下载
STD60NF06 深圳杜因特(DOINGTER) N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 下载
STD60NF06T4 ST(意法半导体) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:16mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W 类型:N沟道 N沟 60V 60A 下载
STD60NF06T4 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 下载
STD60NF06的相关参数为:

器件描述

N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)350 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)60 A
最大漏源导通电阻0.016 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)240 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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