器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
STD4NK60ZT4 | ST(意法半导体) | 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 50uA 漏源导通电阻:2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 600V 4A | 下载 |
STD4NK60ZT4 | ISC | isc N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
STD4NK60ZT4 | 台湾微碧(VBsemi) | Power MOSFET | 下载 |
漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 50uA 漏源导通电阻:2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 600V 4A
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | STMicroelectronics |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | TO-252AA |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 12 weeks |
雪崩能效等级(Eas) | 120 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4 A |
最大漏极电流 (ID) | 4 A |
最大漏源导通电阻 | 2 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-252AA |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 70 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 16 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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