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STD4NK60ZT4

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器件名 厂商 描 述 功能
STD4NK60ZT4 ST(意法半导体) 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 50uA 漏源导通电阻:2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 600V 4A 下载
STD4NK60ZT4 ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
STD4NK60ZT4 台湾微碧(VBsemi) Power MOSFET 下载
STD4NK60ZT4的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 50uA 漏源导通电阻:2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 600V 4A

参数
参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TO-252AA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
雪崩能效等级(Eas)120 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)4 A
最大漏极电流 (ID)4 A
最大漏源导通电阻2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)16 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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