器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
STD1NK80Z | ST(意法半导体) | 1 A, 800 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | 下载 |
STD1NK80Z | 深圳杜因特(DOINGTER) | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology | 下载 |
STD1NK80Z-1 | ST(意法半导体) | MOSFET N-Ch, 800V-13ohms 1A | 下载 |
STD1NK80ZT4 | ST(意法半导体) | 漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 50uA 漏源导通电阻:16Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道 800V 1A | 下载 |
1 A, 800 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 3 |
最小击穿电压 | 800 V |
加工封装描述 | TO-251, IPAK-3 |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | 矩形的 |
包装尺寸 | IN-线 |
端子形式 | THROUGH-孔 |
端子涂层 | MATTE 锡 |
端子位置 | 单一的 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | 开关 |
晶体管元件材料 | 硅 |
通道类型 | N沟道 |
场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | 通用电源 |
最大漏电流 | 1 A |
额定雪崩能量 | 50 mJ |
最大漏极导通电阻 | 16 ohm |
最大漏电流脉冲 | 5 A |
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