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STD1NK80

在4个相关元器件中,STD1NK80有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
STD1NK80Z ST(意法半导体) 1 A, 800 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 下载
STD1NK80Z 深圳杜因特(DOINGTER) N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 下载
STD1NK80Z-1 ST(意法半导体) MOSFET N-Ch, 800V-13ohms 1A 下载
STD1NK80ZT4 ST(意法半导体) 漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 50uA 漏源导通电阻:16Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道 800V 1A 下载
STD1NK80的相关参数为:

器件描述

1 A, 800 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA

参数
参数名称属性值
端子数量3
最小击穿电压800 V
加工封装描述TO-251, IPAK-3
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸IN-线
端子形式THROUGH-孔
端子涂层MATTE 锡
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的 WITH BUILT-IN 二极管
元件数量1
晶体管应用开关
晶体管元件材料
通道类型N沟道
场效应晶体管技术金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型通用电源
最大漏电流1 A
额定雪崩能量50 mJ
最大漏极导通电阻16 ohm
最大漏电流脉冲5 A
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