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SSM6K406TU

eeworld网站中关于SSM6K406TU有5个元器件。有SSM6K406TU、SSM6K406TU,LF等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
SSM6K406TU Toshiba(东芝) TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type 下载
SSM6K406TU,LF Toshiba(东芝) MOSFET LowON Res MOSFET ID=4.4A VDSS=30V 下载
SSM6K406TU,LF(T Toshiba(东芝) Small Signal Field-Effect Transistor 下载
SSM6K406TU(TE85L) Toshiba(东芝) TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,4.4A I(D),SOT-363VAR 下载
SSM6K406TU(TE85L,F) Toshiba(东芝) TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,4.4A I(D),SOT-363VAR 下载
关于SSM6K406TU相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
SSM6K406TU(TE85L) 、 SSM6K406TU(TE85L,F) 下载文档
SSM6K406TU,LF(T 下载文档
SSM6K406TU,LF 下载文档
SSM6K406TU 下载文档
SSM6K406TU资料比对:
型号 SSM6K406TU(TE85L,F) SSM6K406TU(TE85L)
描述 TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,4.4A I(D),SOT-363VAR TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,4.4A I(D),SOT-363VAR
是否Rohs认证 符合 不符合
包装说明 , ,
Reach Compliance Code unknown unknown
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 4.4 A 4.4 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.5 W 0.5 W
表面贴装 YES YES
Base Number Matches 1 1
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