器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
SSM6K406TU | Toshiba(东芝) | TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type | 下载 |
SSM6K406TU,LF | Toshiba(东芝) | MOSFET LowON Res MOSFET ID=4.4A VDSS=30V | 下载 |
SSM6K406TU,LF(T | Toshiba(东芝) | Small Signal Field-Effect Transistor | 下载 |
SSM6K406TU(TE85L) | Toshiba(东芝) | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,4.4A I(D),SOT-363VAR | 下载 |
SSM6K406TU(TE85L,F) | Toshiba(东芝) | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,4.4A I(D),SOT-363VAR | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
---|---|
SSM6K406TU(TE85L) 、 SSM6K406TU(TE85L,F) | 下载文档 |
SSM6K406TU,LF(T | 下载文档 |
SSM6K406TU,LF | 下载文档 |
SSM6K406TU | 下载文档 |
型号 | SSM6K406TU(TE85L,F) | SSM6K406TU(TE85L) |
---|---|---|
描述 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,4.4A I(D),SOT-363VAR | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,4.4A I(D),SOT-363VAR |
是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 |
包装说明 | , | , |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
配置 | Single | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4.4 A | 4.4 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.5 W | 0.5 W |
表面贴装 | YES | YES |
Base Number Matches | 1 | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved