器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
SSM3J351R | Toshiba(东芝) | MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS) | 下载 |
SSM3J351R,LF | Toshiba(东芝) | 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:134mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道 | 下载 |
SSM3J351RLF | Toshiba(东芝) | MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) | 下载 |
SSM3J351RLXHF | Toshiba(东芝) | MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) | 下载 |
SSM3J351R_V01 | Toshiba(东芝) | MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) | 下载 |
漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:134mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道
参数名称 | 属性值 |
漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 3.5A |
栅源极阈值电压 | 2V @ 1mA |
漏源导通电阻 | 134mΩ @ 1A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 2W |
类型 | P沟道 |
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