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SSM3J351R

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器件名 厂商 描 述 功能
SSM3J351R Toshiba(东芝) MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS) 下载
SSM3J351R,LF Toshiba(东芝) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:134mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道 下载
SSM3J351RLF Toshiba(东芝) MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) 下载
SSM3J351RLXHF Toshiba(东芝) MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) 下载
SSM3J351R_V01 Toshiba(东芝) MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) 下载
SSM3J351R的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:134mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道

参数
参数名称属性值
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3.5A
栅源极阈值电压2V @ 1mA
漏源导通电阻134mΩ @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2W
类型P沟道
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