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SN74AUP1G57DBVT

在3个相关元器件中,SN74AUP1G57DBVT有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
SN74AUP1G57DBVT Texas Instruments(德州仪器) Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SOT-23 -40 to 85 下载
SN74AUP1G57DBVTE4 Texas Instruments(德州仪器) Logic Gates Lo PWR Config Multi Funct Gate 下载
SN74AUP1G57DBVTG4 Texas Instruments(德州仪器) Logic Gates Lo PWR Config Multi Funct Gate 下载
SN74AUP1G57DBVT的相关参数为:

器件描述

Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SOT-23 -40 to 85

参数
参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码SOT-23
包装说明LSSOP, TSOP6,.11,37
针数6
Reach Compliance Codecompli
Factory Lead Time1 week
系列AUP/ULP/V
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e4
长度2.9 mm
负载电容(CL)30 pF
逻辑集成电路类型LOGIC CIRCUIT
最大I(ol)0.004 A
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量6
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
输出特性3-STATE
输出极性TRUE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LSSOP
封装等效代码TSOP6,.11,37
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Su26.5 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器YES
座面最大高度1.45 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)0.8 V
标称供电电压 (Vsup)1.2 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.95 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度1.6 mm
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