器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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SIA519EDJ | Vishay(威世) | N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | 下载 |
SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay(威世) | 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):7.8W 类型:N沟道和P沟道 | 下载 |
SIA519EDJ_V01 | Vishay(威世) | N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | 下载 |
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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