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SIA519

在3个相关元器件中,SIA519有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
SIA519EDJ Vishay(威世) N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 下载
SIA519EDJ-T1-GE3 Vishay(威世) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):7.8W 类型:N沟道和P沟道 下载
SIA519EDJ_V01 Vishay(威世) N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 下载
SIA519的相关参数为:

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