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SI5335B-B04444-GM

eeworld网站中关于SI5335B-B04444-GM有3个元器件。有SI5335B-B04444-GM、SI5335B-B04444-GM等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
SI5335B-B04444-GM Silicon Laboratories Inc 4-OUTPUT, ANY FREQUENCY(<200MHZ) 下载
SI5335B-B04444-GM Silicon Laboratories Clock Generators & Support Products 4-Output, Any Frequency(<200MHz), Any Output, Clock Generator (Xtal Input) 下载
SI5335B-B04444-GMR Silicon Laboratories Inc 4-OUTPUT, ANY FREQUENCY(<200MHZ) 下载
关于SI5335B-B04444-GM相关文档资料:
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SI5335B-B04444-GM资料比对:
型号 SI5335B-B04444-GMR SI5335B-B04444-GM
描述 4-OUTPUT, ANY FREQUENCY(<200MHZ) 4-OUTPUT, ANY FREQUENCY(<200MHZ)
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Silicon Laboratories Inc Silicon Laboratories Inc
包装说明 HVQCCN, HVQCCN,
Reach Compliance Code compliant compliant
其他特性 ALSO OPERATES AT 2.5V AND 3.3V NOMINAL SUPPLY ALSO OPERATES AT 2.5V AND 3.3V NOMINAL SUPPLY
JESD-30 代码 S-XQCC-N24 S-XQCC-N24
JESD-609代码 e4 e4
长度 4 mm 4 mm
端子数量 24 24
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出时钟频率 200 MHz 200 MHz
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 HVQCCN HVQCCN
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
主时钟/晶体标称频率 27 MHz 27 MHz
座面最大高度 0.9 mm 0.9 mm
最大供电电压 1.98 V 1.98 V
最小供电电压 1.71 V 1.71 V
标称供电电压 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Gold (Au) Gold (Au)
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 4 mm 4 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型 CLOCK GENERATOR, PROCESSOR SPECIFIC CLOCK GENERATOR, PROCESSOR SPECIFIC
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