器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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SI4946BEY | Vishay Telefunken (Vishay) | Dual N-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET | 下载 |
SI4946BEY | Vishay(威世) | Dual N-Channel 60-V (D-S) 175 ËC MOSFET | 下载 |
SI4946BEY_09 | Vishay(威世) | 5.3 A, 60 V, 0.052 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 下载 |
SI4946BEY-T1-E3 | Vishay(威世) | 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:41mΩ @ 5.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.7W 类型:双N沟道 | 下载 |
SI4946BEY-T1-E3 | 台湾微碧(VBsemi) | Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET | 下载 |
SI4946BEY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:41mΩ @ 5.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.4W 类型:双N沟道 N沟道,60V,5.8A,52mΩ@4.5V | 下载 |
SI4946BEY_V01 | Vishay(威世) | Dual N-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET | 下载 |
Dual N-Channel 60-V (D-S) 175 ËC MOSFET
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