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SI3455ADV-T1-GE3

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器件名 厂商 描 述 功能
SI3455ADV-T1-GE3 Vishay(威世) MOSFET 30V 3.5A 2.0W 100mohm @ 10V 下载
SI3455ADV-T1-GE3的相关参数为:

器件描述

MOSFET 30V 3.5A 2.0W 100mohm @ 10V

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TSOP
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.7 A
最大漏极电流 (ID)2.7 A
最大漏源导通电阻0.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层PURE MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管元件材料SILICON
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