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SI3443BDV

eeworld网站中关于SI3443BDV有5个元器件。有SI3443BDV、SI3443BDV_17等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
SI3443BDV Vishay(威世) P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET 下载
SI3443BDV_17 Vishay(威世) P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET 下载
SI3443BDV-T1-E3 Vishay(威世) MOSFET 20V 4.4A 2W 下载
SI3443BDV-T1-GE3 Vishay(威世) MOSFET 20V 4.7A 2.0W 60mohm @ 4.5V 下载
SI3443BDV_V01 Vishay(威世) P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET 下载
关于SI3443BDV相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
SI3443BDV-T1-E3 、 SI3443BDV-T1-GE3 下载文档
SI3443BDV资料比对:
型号 SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-GE3
描述 MOSFET 20V 4.4A 2W MOSFET 20V 4.7A 2.0W 60mohm @ 4.5V
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
零件包装代码 TSOP TSOP
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6 6
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3.6 A 3.6 A
最大漏极电流 (ID) 3.6 A 3.6 A
最大漏源导通电阻 0.06 Ω 0.06 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 6 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 40
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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