型号 |
SI3437DV-T1-E3 |
SI3437DV-T1-GE3 |
描述 |
MOSFET 150V 1.4A 3.2W 750 mohms @ 10V |
MOSFET -150V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
是否无铅 |
不含铅 |
不含铅 |
是否Rohs认证 |
符合 |
符合 |
零件包装代码 |
TSOP |
TSOP |
包装说明 |
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
针数 |
6 |
6 |
Reach Compliance Code |
unknown |
unknown |
ECCN代码 |
EAR99 |
EAR99 |
配置 |
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 |
150 V |
150 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) |
1.4 A |
1.4 A |
最大漏极电流 (ID) |
1.1 A |
1.4 A |
最大漏源导通电阻 |
0.79 Ω |
0.75 Ω |
FET 技术 |
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 |
R-PDSO-G6 |
R-PDSO-G6 |
JESD-609代码 |
e3 |
e3 |
湿度敏感等级 |
1 |
1 |
元件数量 |
1 |
1 |
端子数量 |
6 |
6 |
工作模式 |
ENHANCEMENT MODE |
ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 |
150 °C |
150 °C |
封装主体材料 |
PLASTIC/EPOXY |
PLASTIC/EPOXY |
封装形状 |
RECTANGULAR |
RECTANGULAR |
封装形式 |
SMALL OUTLINE |
SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) |
260 |
260 |
极性/信道类型 |
P-CHANNEL |
P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) |
3.2 W |
3.2 W |
认证状态 |
Not Qualified |
Not Qualified |
表面贴装 |
YES |
YES |
端子面层 |
Matte Tin (Sn) |
Matte Tin (Sn) |
端子形式 |
GULL WING |
GULL WING |
端子位置 |
DUAL |
DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 |
40 |
30 |
晶体管元件材料 |
SILICON |
SILICON |
Base Number Matches |
1 |
1 |