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SI3437DV

eeworld网站中关于SI3437DV有7个元器件。有SI3437DV、SI3437DV等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
SI3437DV Vishay(威世) VISHAY SILICONIX - SI3437DV-T1-E3 - P CHANNEL MOSFET; -150V; 1.4A; TSOP; FULL REEL 下载
SI3437DV KEXIN P-Channel MOSFET 下载
SI3437DV_15 Vishay(威世) P-Channel 150-V (D-S) MOSFET 下载
SI3437DV-HF KEXIN P-Channel MOSFET 下载
SI3437DV-T1-E3 Vishay(威世) MOSFET 150V 1.4A 3.2W 750 mohms @ 10V 下载
SI3437DV-T1-GE3 Vishay(威世) MOSFET -150V Vds 20V Vgs TSOP-6 下载
SI3437DV_V01 Vishay(威世) P-Channel 150-V (D-S) MOSFET 下载
关于SI3437DV相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
SI3437DV-T1-E3 、 SI3437DV-T1-GE3 下载文档
SI3437DV_15 下载文档
SI3437DV-HF 下载文档
SI3437DV 下载文档
SI3437DV 下载文档
SI3437DV资料比对:
型号 SI3437DV-T1-E3 SI3437DV-T1-GE3
描述 MOSFET 150V 1.4A 3.2W 750 mohms @ 10V MOSFET -150V Vds 20V Vgs TSOP-6
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 TSOP TSOP
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6 6
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 150 V 150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 1.4 A 1.4 A
最大漏极电流 (ID) 1.1 A 1.4 A
最大漏源导通电阻 0.79 Ω 0.75 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 6 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 3.2 W 3.2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 30
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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