器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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SI2300 | KEXIN | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | 下载 |
SI2300 | HTSEMI( Jin Yu Semiconductor ) | 20 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | 下载 |
SI2300 | 迪浦(PUOLOP) | 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.6A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:70mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道 | 下载 |
SI2300 | 合科泰(Hottech) | 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 4A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 | 下载 |
SI2300-3 | KEXIN | N-Channel Enhancement MOSFET | 下载 |
SI2300A | 友台半导体(UMW) | 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 栅源极阈值电压:1V @ 50uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 - | 下载 |
SI2300BDS-T1-GE3 | 台湾微碧(VBsemi) | N-Channel 20 V (D-S) MOSFET | 下载 |
SI2300DS | Vishay(威世) | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | 下载 |
SI2300DS | Vishay Telefunken (Vishay) | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | 下载 |
SI2300DS-T1-GE3 | 台湾微碧(VBsemi) | N-Channel 20 V (D-S) MOSFET | 下载 |
SI2300DS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.6A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:68mΩ @ 2.9A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.1W 类型:N沟道 N沟道,30V,3.6A,68mΩ@4.5V | 下载 |
SI2300DS_V01 | Vishay(威世) | N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | 下载 |
SI2300-HF | KEXIN | N-Channel MOSFET | 下载 |
SI2300-HF-3 | KEXIN | N-Channel MOSFET | 下载 |
N-Channel Enhancement MOSFET
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