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SI2300

在14个相关元器件中,SI2300有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
SI2300 KEXIN N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 下载
SI2300 HTSEMI( Jin Yu Semiconductor ) 20 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 下载
SI2300 迪浦(PUOLOP) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.6A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:70mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道 下载
SI2300 合科泰(Hottech) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 4A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 下载
SI2300-3 KEXIN N-Channel Enhancement MOSFET 下载
SI2300A 友台半导体(UMW) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 栅源极阈值电压:1V @ 50uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 - 下载
SI2300BDS-T1-GE3 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 下载
SI2300DS Vishay(威世) N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 下载
SI2300DS Vishay Telefunken (Vishay) N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 下载
SI2300DS-T1-GE3 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 下载
SI2300DS-T1-GE3 Vishay(威世) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.6A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:68mΩ @ 2.9A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.1W 类型:N沟道 N沟道,30V,3.6A,68mΩ@4.5V 下载
SI2300DS_V01 Vishay(威世) N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 下载
SI2300-HF KEXIN N-Channel MOSFET 下载
SI2300-HF-3 KEXIN N-Channel MOSFET 下载
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