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SGD02N120

在2个相关元器件中,SGD02N120有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
SGD02N120 Infineon(英飞凌) IGBT Transistors FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A 下载
SGD02N120BUMA1 Infineon(英飞凌) IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3 下载
SGD02N120的相关参数为:

器件描述

IGBT Transistors FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TO-252AA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)6.2 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
最大降落时间(tf)61 ns
门极发射器阈值电压最大值5 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)42 W
认证状态Not Qualified
最大上升时间(tr)24 ns
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)375 ns
标称接通时间 (ton)40 ns
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