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S25FL256SAGBHI210

在3个相关元器件中,S25FL256SAGBHI210有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
S25FL256SAGBHI210 SPANSION flash 256mb 3V 133mhz serial nor flash 下载
S25FL256SAGBHI210 Cypress(赛普拉斯) Flash, 64MX4, PBGA24, FBGA-24 下载
S25FL256SAGBHI210 Infineon(英飞凌) Flash, 64MX4, PBGA24, 下载
S25FL256SAGBHI210的相关参数为:

器件描述

Flash, 64MX4, PBGA24, FBGA-24

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid8004808815
包装说明TBGA, BGA24,5X5,40
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
Samacsys ManufacturerCypress Semiconductor
Samacsys Modified On2021-08-13 16:33:35
其他特性ALSO CONFIGURABLE AS 128M X 1
备用内存宽度2
启动块BOTTOM
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
数据保留时间-最小值20
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PBGA-B24
JESD-609代码e1
长度8 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度4
功能数量1
端子数量24
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64MX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA24,5X5,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行SERIAL
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
类型NOR TYPE
宽度6 mm
最长写入周期时间 (tWC)500 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE
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