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RQ6E035ATTCR..

在1个相关元器件中,RQ6E035ATTCR..有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
RQ6E035ATTCR ROHM(罗姆半导体) Precision Amplifiers 下载
RQ6E035ATTCR..的相关参数为:

器件描述

Precision Amplifiers

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time16 weeks
Samacsys DescriptionROHM - RQ6E035ATTCR.. - MOSFET, P-CH, -30V, -3.5A, TSMT-6
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)3.5 A
最大漏源导通电阻0.07 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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