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QS6K21TR

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器件名 厂商 描 述 功能
QS6K21TR ROHM(罗姆半导体) MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 1A 下载
QS6K21TR的相关参数为:

器件描述

MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 1A

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压45 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1 A
最大漏极电流 (ID)1 A
最大漏源导通电阻0.585 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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