器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
PSMN4R8-100BSEJ | NXP(恩智浦) | MOSfet N-channel 100 V 4.8 mo fet | 下载 |
PSMN4R8-100BSEJ | Nexperia | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tj) 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:4.8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):405W(Tc) 类型:N沟道 | 下载 |
漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tj) 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:4.8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):405W(Tc) 类型:N沟道
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Nexperia |
零件包装代码 | D2PAK |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | SOT404 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Factory Lead Time | 16 weeks |
雪崩能效等级(Eas) | 542 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 707 A |
最大漏极电流 (ID) | 120 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0048 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 643 pF |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 405 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 707 A |
参考标准 | IEC-60134 |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 294 ns |
最大开启时间(吨) | 159 ns |
Base Number Matches | 1 |
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