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PSMN4R8-100BSEJ

在2个相关元器件中,PSMN4R8-100BSEJ有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
PSMN4R8-100BSEJ NXP(恩智浦) MOSfet N-channel 100 V 4.8 mo fet 下载
PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tj) 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:4.8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):405W(Tc) 类型:N沟道 下载
PSMN4R8-100BSEJ的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tj) 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:4.8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):405W(Tc) 类型:N沟道

参数
参数名称属性值
Brand NameNexperia
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
制造商包装代码SOT404
Reach Compliance Codenot_compliant
Factory Lead Time16 weeks
雪崩能效等级(Eas)542 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)707 A
最大漏极电流 (ID)120 A
最大漏源导通电阻0.0048 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)643 pF
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)405 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)707 A
参考标准IEC-60134
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)294 ns
最大开启时间(吨)159 ns
Base Number Matches1
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