器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
PML260SN | NXP(恩智浦) | N-channel TrenchMOS standard level FET | 下载 |
PML260SN | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) | N-channel TrenchMOS standard level FET | 下载 |
PML260SN | Nexperia | Power Field-Effect Transistor | 下载 |
PML260SN,118 | NXP(恩智浦) | N-channel TrenchMOS standard level FET | 下载 |
PML260SN,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON | 下载 |
Power Field-Effect Transistor
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Nexperia |
包装说明 | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N8 |
Reach Compliance Code | compliant |
雪崩能效等级(Eas) | 22 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 200 V |
最大漏极电流 (ID) | 8.8 A |
最大漏源导通电阻 | 0.294 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | S-PDSO-N8 |
JESD-609代码 | e4 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 15 A |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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