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PML260SN

在5个相关元器件中,PML260SN有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
PML260SN NXP(恩智浦) N-channel TrenchMOS standard level FET 下载
PML260SN Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) N-channel TrenchMOS standard level FET 下载
PML260SN Nexperia Power Field-Effect Transistor 下载
PML260SN,118 NXP(恩智浦) N-channel TrenchMOS standard level FET 下载
PML260SN,118 Nexperia MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON 下载
PML260SN的相关参数为:

器件描述

Power Field-Effect Transistor

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Nexperia
包装说明SMALL OUTLINE, S-PDSO-N8
Reach Compliance Codecompliant
雪崩能效等级(Eas)22 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)8.8 A
最大漏源导通电阻0.294 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-PDSO-N8
JESD-609代码e4
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)15 A
表面贴装YES
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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