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PMDXB550UNEZ

在2个相关元器件中,PMDXB550UNEZ有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
PMDXB550UNEZ NXP(恩智浦) MOSFET 30V Dual N-Channel Trench MOSFET 下载
PMDXB550UNEZ Nexperia MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN 下载
PMDXB550UNEZ的相关参数为:

器件描述

MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN

参数
参数名称属性值
Brand NameNexperia
厂商名称Nexperia
零件包装代码DFN
包装说明DFN1010B-6, 6 PIN
针数6
制造商包装代码SOT1216
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time8 weeks
外壳连接DRAIN
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)0.59 A
最大漏源导通电阻0.9 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-N6
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
参考标准IEC-60134
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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