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PH3230S

在6个相关元器件中,PH3230S有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
PH3230S Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) N-channel TrenchMOS⑩ logic level FET 下载
PH3230S NXP(恩智浦) N-channel TrenchMOS⑩ logic level FET 下载
PH3230S Nexperia Power Field-Effect Transistor 下载
PH3230S,115 NXP(恩智浦) mosfet N-CH 30v 100a lfpak 下载
PH3230S115 NXP(恩智浦) MOSFET N-CH TRENCH 30V 下载
PH3230S,115 Nexperia PH3230S - N-channel TrenchMOS intermediate level FET SOIC 4-Pin 下载
PH3230S的相关参数为:

器件描述

Power Field-Effect Transistor

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明LFPAK-4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)250 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)100 A
最大漏源导通电阻0.0065 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MO-235
JESD-30 代码R-PSSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)300 A
参考标准IEC-60134
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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