器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
PH3230S | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) | N-channel TrenchMOS⑩ logic level FET | 下载 |
PH3230S | NXP(恩智浦) | N-channel TrenchMOS⑩ logic level FET | 下载 |
PH3230S | Nexperia | Power Field-Effect Transistor | 下载 |
PH3230S,115 | NXP(恩智浦) | mosfet N-CH 30v 100a lfpak | 下载 |
PH3230S115 | NXP(恩智浦) | MOSFET N-CH TRENCH 30V | 下载 |
PH3230S,115 | Nexperia | PH3230S - N-channel TrenchMOS intermediate level FET SOIC 4-Pin | 下载 |
Power Field-Effect Transistor
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | LFPAK-4 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 250 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 100 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0065 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | MO-235 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G4 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 300 A |
参考标准 | IEC-60134 |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved