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PCF8570P/F5

eeworld网站中关于PCF8570P/F5有1个元器件。有PCF8570P/F5,112等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
PCF8570P/F5,112 NXP(恩智浦) IC SRAM 2K I2C 100KHZ 8DIP 下载
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PCF8570P/F5资料比对:
型号 PCF8570P/F5,112 PCF8570PN
描述 IC SRAM 2K I2C 100KHZ 8DIP IC 256 X 8 STANDARD SRAM, PDIP8, Static RAM
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 2-WIRE I2C SERIAL INTERFACE 2-WIRE I2C SERIAL INTERFACE
最大时钟频率 (fCLK) 0.1 MHz 0.1 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8
JESD-609代码 e4 e4
长度 9.5 mm 9.5 mm
内存密度 2048 bit 2048 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 8 8
字数 256 words 256 words
字数代码 256 256
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 256X8 256X8
输出特性 OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN
可输出 NO NO
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP8,.3 DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
并行/串行 SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 250 250
电源 3/5 V 3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.2 mm 4.2 mm
最大待机电流 4e-7 A 4e-7 A
最小待机电流 1 V 1 V
最大压摆率 0.0002 mA 0.0002 mA
最大供电电压 (Vsup) 6 V 6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
宽度 7.62 mm 7.62 mm
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