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NX3L1T53GM

在3个相关元器件中,NX3L1T53GM有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
NX3L1T53GM NXP(恩智浦) Low-ohmic single-pole double-throw analog switch 下载
NX3L1T53GM125 NXP(恩智浦) Analog Switch ICs 1SW SPDT 4.3V 60MHz 下载
NX3L1T53GM,125 NXP(恩智浦) IC ANALOG SWITCH SPDT 8XQFN 下载
NX3L1T53GM的相关参数为:

器件描述

Low-ohmic single-pole double-throw analog switch

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码QFN
包装说明HVQCCN, SOLCC8,.04,20
针数8
Reach Compliance Codecompli
模拟集成电路 - 其他类型SPDT
JESD-30 代码S-PQCC-N8
JESD-609代码e4
长度1.6 mm
湿度敏感等级1
正常位置NO/NC
信道数量1
功能数量1
端子数量8
标称断态隔离度90 dB
通态电阻匹配规范0.04 Ω
最大通态电阻 (Ron)1.7 Ω
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
输出SEPARATE OUTPUT
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HVQCCN
封装等效代码SOLCC8,.04,20
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.5/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)4.3 V
最小供电电压 (Vsup)1.4 V
标称供电电压 (Vsup)1.65 V
表面贴装YES
最长断开时间90 ns
最长接通时间120 ns
切换BREAK-BEFORE-MAKE
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度1.6 mm
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