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NUP4301MR6

在3个相关元器件中,NUP4301MR6有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
NUP4301MR6T1 ON Semiconductor(安森美) Rectifiers Low Cap. for ESD 下载
NUP4301MR6T1_05 ON Semiconductor(安森美) Low Capacitance Diode Array for ESD Protection in Four Data Lines 下载
NUP4301MR6T1G ON Semiconductor(安森美) 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):- 箝位电压:- 击穿电压(最小值):70V 反向关断电压(典型值):- 70V,单向,VF=0.855V,IR=2.5uA,(8KV接触, 15KV空隙放电) 下载
NUP4301MR6的相关参数为:

器件描述

Rectifiers Low Cap. for ESD

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明CASE 318F-04, TSOP-6
针数6
制造商包装代码318F-05
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
最小击穿电压70 V
击穿电压标称值70 V
配置COMPLEX
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e0
元件数量8
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压70 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
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