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NTD2955-1G

在3个相关元器件中,NTD2955-1G有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
NTD2955-1G ON Semiconductor(安森美) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):55W(Tj) 类型:P沟道 下载
NTD2955-1G Rochester Electronics 12A, 60V, 0.18ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CASE 369D-01, DPAK-3 下载
NTD2955-1G 台湾微碧(VBsemi) P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 下载
NTD2955-1G的相关参数为:

器件描述

12A, 60V, 0.18ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CASE 369D-01, DPAK-3

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rochester Electronics
包装说明ROHS COMPLIANT, CASE 369D-01, DPAK-3
针数3
制造商包装代码CASE 369D-01
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)216 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.18 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)36 A
认证状态COMMERCIAL
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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