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NTB75N03L09T4

eeworld网站中关于NTB75N03L09T4有3个元器件。有NTB75N03L09T4、NTB75N03L09T4等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
NTB75N03L09T4 ON Semiconductor(安森美) MOSFET 30V 75A N-Channel 下载
NTB75N03L09T4 Rochester Electronics 75A, 30V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418AA-01, D2PAK-3 下载
NTB75N03L09T4G ON Semiconductor(安森美) MOSFET 30V 75A N-Channel 下载
关于NTB75N03L09T4相关文档资料:
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NTB75N03L09T4 、 NTB75N03L09T4G 下载文档
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NTB75N03L09T4资料比对:
型号 NTB75N03L09T4G NTB75N03L09T4
描述 MOSFET 30V 75A N-Channel MOSFET 30V 75A N-Channel
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 含铅
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
包装说明 LEAD FREE, CASE 418AA-01, D2PAK-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
制造商包装代码 418B-04 418B-04
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 1500 mJ 1500 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 75 A 75 A
最大漏极电流 (ID) 75 A 75 A
最大漏源导通电阻 0.008 Ω 0.008 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e0
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 240
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 125 W 150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 225 A 225 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin (Sn) Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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