器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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NTB75N03L09T4 | ON Semiconductor(安森美) | MOSFET 30V 75A N-Channel | 下载 |
NTB75N03L09T4 | Rochester Electronics | 75A, 30V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418AA-01, D2PAK-3 | 下载 |
NTB75N03L09T4G | ON Semiconductor(安森美) | MOSFET 30V 75A N-Channel | 下载 |
型号 | NTB75N03L09T4G | NTB75N03L09T4 |
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描述 | MOSFET 30V 75A N-Channel | MOSFET 30V 75A N-Channel |
Brand Name | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 | 含铅 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
包装说明 | LEAD FREE, CASE 418AA-01, D2PAK-3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 | 3 |
制造商包装代码 | 418B-04 | 418B-04 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 1500 mJ | 1500 mJ |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 75 A | 75 A |
最大漏极电流 (ID) | 75 A | 75 A |
最大漏源导通电阻 | 0.008 Ω | 0.008 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 | e0 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | 240 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 125 W | 150 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 225 A | 225 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | Tin (Sn) | Tin/Lead (Sn80Pb20) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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