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NP90N03VLG-E1-AY

在2个相关元器件中,NP90N03VLG-E1-AY有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
NP90N03VLG-E1-AY Renesas(瑞萨电子) mosfet N-CH 30v 90a TO-252 下载
NP90N03VLG-E1-AY 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 下载
NP90N03VLG-E1-AY的相关参数为:

器件描述

mosfet N-CH 30v 90a TO-252

参数
参数名称属性值
Brand NameRenesas
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码MP-3ZP
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
制造商包装代码PRSS0004ZP-A3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)90 A
最大漏源导通电阻0.0032 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)360 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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器件入口   06 0A 1P 1T 8X BV CO DQ DX MK MZ QI W6 XN XT

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

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