器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
NP90N03VLG-E1-AY | Renesas(瑞萨电子) | mosfet N-CH 30v 90a TO-252 | 下载 |
NP90N03VLG-E1-AY | 台湾微碧(VBsemi) | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | 下载 |
mosfet N-CH 30v 90a TO-252
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Renesas |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | MP-3ZP |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | PRSS0004ZP-A3 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 90 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0032 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-252 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 360 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved