器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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MXSMCG10AE3 | Microsemi | TVS DIODE 10V 17V DO215AB | 下载 |
MXSMCG10AE3/TR | Microsemi | Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AB, PLASTIC, SMCG, 2 PIN | 下载 |
MXSMCG10AE3TR | Microsemi | 1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB, PLASTIC, SMCG, 2 PIN | 下载 |
型号 | MXSMCG10AE3 | MXSMCG10AE3/TR |
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描述 | TVS DIODE 10V 17V DO215AB | Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AB, PLASTIC, SMCG, 2 PIN |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
包装说明 | R-PDSO-G2 | R-PDSO-G2 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
Is Samacsys | N | N |
其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
最大击穿电压 | 12.3 V | 12.3 V |
最小击穿电压 | 11.1 V | 11.1 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-215AB | DO-215AB |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G2 | R-PDSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 1500 W | 1500 W |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
极性 | UNIDIRECTIONAL | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 1.56 W | 1.56 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
参考标准 | MIL-19500 | MIL-19500 |
最大重复峰值反向电压 | 10 V | 10 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | AVALANCHE | AVALANCHE |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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