器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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MXLPLAD15KP110CAE3 | Microsemi | TVS DIODE 110V 177V PLAD | 下载 |
MXLPLAD15KP110CAE3 | Microchip(微芯科技) | Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 110V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon | 下载 |
MXLPLAD15KP110CAE3TR | Microsemi | Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 110V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1 | 下载 |
MXLPLAD15KP110CAE3TR | Microchip(微芯科技) | Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 110V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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型号 | MXLPLAD15KP110CAE3TR | MXLPLAD15KP110CAE3 |
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描述 | Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 110V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon | Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 110V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) |
包装说明 | R-PSSO-G1 | R-PSSO-G1 |
Reach Compliance Code | compli | compliant |
其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
最大击穿电压 | 135 V | 135 V |
最小击穿电压 | 122 V | 122 V |
击穿电压标称值 | 128.5 V | 128.5 V |
外壳连接 | CATHODE | CATHODE |
最大钳位电压 | 177 V | 177 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G1 | R-PSSO-G1 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 15000 W | 15000 W |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 1 | 1 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性 | BIDIRECTIONAL | BIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 2.5 W | 2.5 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
参考标准 | MIL-19500 | MIL-19500 |
最大重复峰值反向电压 | 110 V | 110 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | AVALANCHE | AVALANCHE |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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