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MSMLJ13CAe3

eeworld网站中关于MSMLJ13CAe3有3个元器件。有MSMLJ13CAe3、MSMLJ13CAE3TR等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
MSMLJ13CAe3 Microsemi ESD Suppressors / TVS Diodes Transient Voltage Suppressor 下载
MSMLJ13CAE3TR Microsemi 3000W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMLJ, 2 PIN 下载
MSMLJ13CAE3/TR Microsemi Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 13V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMLJ, 2 PIN 下载
关于MSMLJ13CAe3相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
MSMLJ13CAE3/TR 、 MSMLJ13CAE3TR 下载文档
MSMLJ13CAe3 下载文档
MSMLJ13CAe3资料比对:
型号 MSMLJ13CAE3/TR MSMLJ13CAE3TR
描述 Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 13V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMLJ, 2 PIN 3000W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMLJ, 2 PIN
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
Reach Compliance Code compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
最大击穿电压 15.9 V 15.9 V
最小击穿电压 14.4 V 14.4 V
击穿电压标称值 15.15 V 15.15 V
最大钳位电压 21.5 V 21.5 V
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码 DO-214AB DO-214AB
JESD-30 代码 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
最大非重复峰值反向功率耗散 3000 W 3000 W
元件数量 1 1
端子数量 2 2
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性 BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL
最大功率耗散 1.61 W 1.61 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 13 V 13 V
表面贴装 YES YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1
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