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MJE15032G

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器件名 厂商 描 述 功能
MJE15032G ON Semiconductor(安森美) 额定功率:2W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:250V 晶体管类型:NPN 下载
MJE15032G的相关参数为:

器件描述

额定功率:2W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:250V 晶体管类型:NPN

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-220AB
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
针数3
制造商包装代码221A-09
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys Confidence3
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID171058
Samacsys Pin Count3
Samacsys Part CategoryTransistor BJT NPN
Samacsys Package CategoryTransistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint NameTO-220 CASE221A-09
Samacsys Released Date2015-11-03 12:30:39
Is SamacsysN
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压250 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)50 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz
Base Number Matches1
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