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MJD32CG-ON

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器件名 厂商 描 述 功能
MJD32CG ON Semiconductor(安森美) 额定功率:1.56W 集电极电流Ic:3A 集射极击穿电压Vce:100V 晶体管类型:PNP 下载
MJD32CG-ON的相关参数为:

器件描述

额定功率:1.56W 集电极电流Ic:3A 集射极击穿电压Vce:100V 晶体管类型:PNP

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
制造商包装代码369C
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)3 MHz
Base Number Matches1
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