器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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MJD32CG | ON Semiconductor(安森美) | 额定功率:1.56W 集电极电流Ic:3A 集射极击穿电压Vce:100V 晶体管类型:PNP | 下载 |
额定功率:1.56W 集电极电流Ic:3A 集射极击穿电压Vce:100V 晶体管类型:PNP
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | 369C |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 1 week |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 3 A |
集电极-发射极最大电压 | 100 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 10 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 15 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 3 MHz |
Base Number Matches | 1 |
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