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MDB10S

在8个相关元器件中,MDB10S有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
MDB10S Fairchild 1 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 下载
MDB10S ON Semiconductor(安森美) Bridge Rectifiers 1A Bridge Rectifier 下载
MD(B)10S FRONTIER 0.8A MINI SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIERS 下载
MD(B)10S-LFR FRONTIER 0.8A MINI SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIERS 下载
MDB10SS ON Semiconductor(安森美) 1A, 100V MicroDIP, Single-Phase Bridge Rectifiers, 4000-REEL 下载
MDB10SS Fairchild Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC, MICRODIP-4 下载
MDB10SV Fairchild bridge rectifiers 1000v 1.2 A bridge rectifier 下载
MDB10SV ON Semiconductor(安森美) Bridge Rectifiers 1000V 1.2 A Bridge Rectifier 下载
MDB10S的相关参数为:

器件描述

Bridge Rectifiers 1A Bridge Rectifier

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明R-PDSO-G4
制造商包装代码948BS
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time10 weeks
Samacsys DescriptionDiode Rectifier Bridge Single 1KV 1A 4-Pin Micro DIP SMD T/R
最小击穿电压1000 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压1000 V
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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