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MC33078DR2G

在2个相关元器件中,MC33078DR2G有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
MC33078DR2G Rochester Electronics DUAL OP-AMP, 3000 uV OFFSET-MAX, 16 MHz BAND WIDTH, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8 下载
MC33078DR2G ON Semiconductor(安森美) 增益带宽积(GBP):16MHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:4.1mA 压摆率(SR):7 V/us 电源电压:10V ~ 36V, ±5V ~ 18V 低噪声双运算放大器 下载
MC33078DR2G的相关参数为:

器件描述

增益带宽积(GBP):16MHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:4.1mA 压摆率(SR):7 V/us 电源电压:10V ~ 36V, ±5V ~ 18V 低噪声双运算放大器

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
制造商包装代码751-07
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys DescriptionOperational Amplifier, Low Noise, Dual
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.8 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.75 µA
标称共模抑制比100 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压3000 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度4.9 mm
低-失调NO
湿度敏感等级1
负供电电压上限-18 V
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
功能数量2
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源+-15 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最小摆率5 V/us
标称压摆率7 V/us
最大压摆率5.5 mA
供电电压上限18 V
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装YES
技术BIPOLAR
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
标称均一增益带宽16000 kHz
最小电压增益17780
宽度3.9 mm
Base Number Matches1
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