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LMUN2212LT1G

在3个相关元器件中,LMUN2212LT1G有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
LMUN2212LT1G LRC 额定功率:246mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:NPN 下载
LMUN2212LT1G Leiditech NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network 下载
LMUN2212LT1G_15 LRC Bias Resistor Transistors 下载
LMUN2212LT1G的相关参数为:

器件描述

额定功率:246mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:NPN

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称LRC
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)60
元件数量1
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.246 W
表面贴装YES
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
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