电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

LM218D

在6个相关元器件中,LM218D有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
LM218D ST(意法半导体) OP-AMP, 6000uV OFFSET-MAX, 15MHz BAND WIDTH, PDSO8, MICRO, PLASTIC, SO-8 下载
LM218D Texas Instruments(德州仪器) OP-AMP, 6000uV OFFSET-MAX, 15MHz BAND WIDTH, PDSO8, PLASTIC, SOIC-8 下载
LM218D AMD(超微) Operational Amplifier, 1 Func, 6000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP14, HERMETIC SEALED, DIP-14 下载
LM218DB AMD(超微) Operational Amplifier, 1 Func, 6000uV Offset-Max, CDIP14, HERMETIC SEALED, DIP-14 下载
LM218DE Raytheon Company Operational Amplifier, 1 Func, 6000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, 下载
LM218DR Texas Instruments(德州仪器) OP-AMP, 6000uV OFFSET-MAX, 15MHz BAND WIDTH, PDSO8, PLASTIC, SOIC-8 下载
LM218D的相关参数为:

器件描述

Operational Amplifier, 1 Func, 6000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP14, HERMETIC SEALED, DIP-14

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称AMD(超微)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP14,.3
针数14
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.5 µA
标称共模抑制比80 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压6000 µV
JESD-30 代码R-CDIP-T14
JESD-609代码e0
长度19.431 mm
低-失调NO
负供电电压上限-20 V
标称负供电电压 (Vsup)-20 V
功能数量1
端子数量14
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源+-5/+-20 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
标称压摆率70 V/us
最大压摆率8 mA
供电电压上限20 V
标称供电电压 (Vsup)20 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
标称均一增益带宽15000 kHz
宽度7.62 mm
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   27 2S 82 9Q B7 E9 ER IR KX OP Q4 Q5 QM SE WP

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved