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LDTS30

eeworld网站中关于LDTS30有4个元器件。有LDTS30、LDTS30A等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
LDTS30 Microsemi HEAVY DUTY (LOAD DUMP) TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 下载
LDTS30A Microsemi HEAVY DUTY (LOAD DUMP) TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 下载
LDTS30AE3 Microsemi Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, TO-3, 下载
LDTS30E3 Microsemi Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, TO-3, 下载
关于LDTS30相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
LDTS30AE3 、 LDTS30E3 下载文档
LDTS30 、 LDTS30A 下载文档
LDTS30资料比对:
型号 LDTS30 LDTS30A
描述 HEAVY DUTY (LOAD DUMP) TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR HEAVY DUTY (LOAD DUMP) TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Microsemi Microsemi
包装说明 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
最小击穿电压 33 V 33 V
击穿电压标称值 33 V 33 V
外壳连接 ANODE ANODE
最大钳位电压 54 V 48.5 V
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0 e0
最大非重复峰值反向功率耗散 3000 W 3000 W
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
最低工作温度 -50 °C -50 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 50 W 50 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 30 V 30 V
最大反向电流 100 µA 100 µA
表面贴装 NO NO
技术 AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1
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