器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
LDTS30 | Microsemi | HEAVY DUTY (LOAD DUMP) TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR | 下载 |
LDTS30A | Microsemi | HEAVY DUTY (LOAD DUMP) TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR | 下载 |
LDTS30AE3 | Microsemi | Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, TO-3, | 下载 |
LDTS30E3 | Microsemi | Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, TO-3, | 下载 |
型号 | LDTS30 | LDTS30A |
---|---|---|
描述 | HEAVY DUTY (LOAD DUMP) TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR | HEAVY DUTY (LOAD DUMP) TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi | Microsemi |
包装说明 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code | compli | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
最小击穿电压 | 33 V | 33 V |
击穿电压标称值 | 33 V | 33 V |
外壳连接 | ANODE | ANODE |
最大钳位电压 | 54 V | 48.5 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码 | TO-3 | TO-3 |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 3000 W | 3000 W |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
最低工作温度 | -50 °C | -50 °C |
封装主体材料 | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性 | UNIDIRECTIONAL | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 50 W | 50 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 30 V | 30 V |
最大反向电流 | 100 µA | 100 µA |
表面贴装 | NO | NO |
技术 | AVALANCHE | AVALANCHE |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved