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LBSS123

eeworld网站中关于LBSS123有7个元器件。有LBSS123LT1、LBSS123LT1G等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
LBSS123LT1 LRC SMALL SIGNAL, FET 下载
LBSS123LT1G LRC 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):170mA 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:6Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道 N沟道,100V,0.17A,6Ω@10V 下载
LBSS123LT1G 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 下载
LBSS123LT1G_15 LRC N-CHANNEL POWER MOSFET 下载
LBSS123LT3 LRC SMALL SIGNAL, FET 下载
LBSS123LT3G LRC SMALL SIGNAL, FET 下载
LBSS123LT3G 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 下载
关于LBSS123相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
LBSS123LT1 、 LBSS123LT3 、 LBSS123LT3G 下载文档
LBSS123LT1G_15 下载文档
LBSS123LT1G 下载文档
LBSS123资料比对:
型号 LBSS123LT1 LBSS123LT3 LBSS123LT3G
描述 SMALL SIGNAL, FET SMALL SIGNAL, FET SMALL SIGNAL, FET
厂商名称 LRC LRC LRC
包装说明 , , SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
配置 Single Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.17 A 0.17 A 0.17 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.225 W 0.225 W 0.225 W
表面贴装 YES YES YES
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