器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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LBSS123LT1 | LRC | SMALL SIGNAL, FET | 下载 |
LBSS123LT1G | LRC | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):170mA 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:6Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道 N沟道,100V,0.17A,6Ω@10V | 下载 |
LBSS123LT1G | 台湾微碧(VBsemi) | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET | 下载 |
LBSS123LT1G_15 | LRC | N-CHANNEL POWER MOSFET | 下载 |
LBSS123LT3 | LRC | SMALL SIGNAL, FET | 下载 |
LBSS123LT3G | LRC | SMALL SIGNAL, FET | 下载 |
LBSS123LT3G | 台湾微碧(VBsemi) | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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LBSS123LT1 、 LBSS123LT3 、 LBSS123LT3G | 下载文档 |
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型号 | LBSS123LT1 | LBSS123LT3 | LBSS123LT3G |
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描述 | SMALL SIGNAL, FET | SMALL SIGNAL, FET | SMALL SIGNAL, FET |
厂商名称 | LRC | LRC | LRC |
包装说明 | , | , | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow |
配置 | Single | Single | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.17 A | 0.17 A | 0.17 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.225 W | 0.225 W | 0.225 W |
表面贴装 | YES | YES | YES |
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