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LBAV199LT1G

在3个相关元器件中,LBAV199LT1G有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
LBAV199LT1G LRC 反向恢复时间(trr):3ns 直流反向耐压(Vr):85V 平均整流电流(Io):215mA 正向压降(Vf):1.25V @ 150mA 85V,125mA,trr=3ns,VF=1.25V@150mA,PD=150mW 下载
LBAV199LT1G Leiditech Surface Mount Low Leakge Diode 下载
LBAV199LT1G_15 LRC Surface Mount Low Leakge Diode 下载
LBAV199LT1G的相关参数为:

器件描述

反向恢复时间(trr):3ns 直流反向耐压(Vr):85V 平均整流电流(Io):215mA 正向压降(Vf):1.25V @ 150mA 85V,125mA,trr=3ns,VF=1.25V@150mA,PD=150mW

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称LRC
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流0.5 A
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.215 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.15 W
最大重复峰值反向电压85 V
最大反向恢复时间3 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
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