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L1SS355T1G

在3个相关元器件中,L1SS355T1G有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
L1SS355T1G LRC 反向恢复时间(trr):4ns 直流反向耐压(Vr):80V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1.2V @ 100mA 80V,100mA,trr=4ns,VF=1.2V@100mA 下载
L1SS355T1G Leiditech Switching diode 下载
L1SS355T1G_15 LRC Switching diode 下载
L1SS355T1G的相关参数为:

器件描述

反向恢复时间(trr):4ns 直流反向耐压(Vr):80V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1.2V @ 100mA 80V,100mA,trr=4ns,VF=1.2V@100mA

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称LRC
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流0.5 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压90 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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